2 300 р.

Артикул 35942

Код 0000


Наличие товара: есть в наличии
отгрузка 2-4 рабочих дня

В корзину
или
Быстрый заказ
или
Купить в кредит

Информация о доступных кредитах


Читайте отзывы покупателей и оценивайте качество магазина на Яндекс.Маркете







Оперативная память SO-DIMM 4Gb DDR3-1600 204pin CL11 - 8 chip Kingston KVR16S11S8/4G

Артикул 35942



  • Тип памяти: DDR3.
  • Форм-фактор: SODIMM 204-контактный.
  • Тактовая частота: 1600 МГц.
  • Пропускная способность: 12800 Мб/с.
  • Объем: 1 модуль 4 Гб.
  • Количество чипов каждого модуля: 8, двусторонняя упаковка.
  • CAS Latency (CL): 11.
  • RAS to CAS Delay (tRCD): 11.
  • Row Precharge Delay (tRP): 11.
  • Напряжение питания: 1.5 В.

Покупка в кредит

Купите Оперативная память SO-DIMM 4Gb DDR3-1600 204pin CL11 - 8 chip Kingston KVR16S11S8/4G в кредит. Наш магазин работает с различными банками на выгодных условиях.

Оплата

Вы можете оплатить покупку наличными или электронными деньгами. Также к вашему удобству мы принимаем оплату картой.

Доставка

Вам не стоит беспокоиться за доставку товара. У нас работает своя служба курьеров. Все заказы доставляются в срок.

Гарантия

Покупая товар в нашем магазине Вы можете не беспокоиться за его качество. Весь товар сертифицирован. На Оперативная память SO-DIMM 4Gb DDR3-1600 204pin CL11 - 8 chip Kingston KVR16S11S8/4G предоставляется официальная гарантия производителя.


Общие

Производитель Kingston
Код производителя KVR16S11S8/4
Ссылка на производителя www.kingston.com
Форм-фактор SODIMM
Объем одного модуля 4 Гб
Количество модулей в комплекте 1
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Количество контактов 204
Упаковка чипов двусторонняя
Тип памяти DDR3
Частота памяти 1600 МГц
 

Оперативная память

Объем памяти 4 Гб

Тайминги

CL 11
tRCD 11
tRP 11

Прочее

Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 1

Общие

Производитель Kingston
Код производителя KVR16S11S8/4
Ссылка на производителя www.kingston.com
Форм-фактор SODIMM
Объем одного модуля 4 Гб
Количество модулей в комплекте 1
Тактовая частота 1600 МГц
Пропускная способность 12800 Мб/с
Количество контактов 204
Упаковка чипов двусторонняя
Тип памяти DDR3
Частота памяти 1600 МГц

Оперативная память

Объем памяти 4 Гб

Тайминги

CL 11
tRCD 11
tRP 11

Прочее

Количество чипов каждого модуля 8
Напряжение питания 1.5 В
Количество ранков 1

Написать


Оставьте отзыв о продукте - это поможет другим людям сделать свой выбор.


Отзывов: 0
Отзывы о товаре наших покупателей